HAF1002-90STL

HAF1002, HAF1002-90STL, HAF1002-90STL-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAF1002-90STLHAF1002-90STL-E
Корпус микросхемы
Корпус
LDPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<50 Вт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate