FQU2N90TU_AM002

FQU2N90, FQU2N90TU, FQU2N90TU_AM002, FQU2N90TU_WS

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQU2N90TUFQU2N90TU_AM002FQU2N90TU_WS
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
500 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<900 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7.2 ОмId, Vgs = 850mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard