На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQU1N60CTU | FQU1N60TU | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <2.5 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 170 пФVds = 25V | 150 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <1 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 6.2 нCVgs = 10V | 6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |