На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQU13N10LTU | FQU13N10TU | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <2.5 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 520 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 5A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 5V | 16 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |