На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQU13N06LTU | FQU13N06LTU_WS | FQU13N06TU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | <11 А | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 6.4 нCVgs = 5V | 6.4 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |