На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQPF6N80C | FQPF6N80CT | FQPF6N80T | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <51 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.31 нФVds = 25V | 1.31 нФVds = 25V | 1.5 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.5 А | <5.5 А | <3.3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.5 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <2.5 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <1.95 ОмId, Vgs = 1.65A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 31 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||