FQPF19N20

FQPF19N20, FQPF19N20C, FQPF19N20T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQPF19N20CFQPF19N20T
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<43 Вт<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.08 нФVds = 25V1.6 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<19 А<11.8 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V<150 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
53 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard