FQP19N20C

FQP19N20, FQP19N20C, FQP19N20C_F080, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		FQP19N20C	FQP19N20C_F080	FQP19N20CTSTU	FQP19N20L
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель	Производитель	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Мощность	P	<139 Вт	<139 Вт	<139 Вт	<140 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	1.08 нФVds = 25V	1.08 нФVds = 25V	1.08 нФVds = 25V	2.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<200 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<19 А	<19 А	<19 А	<21 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V	<170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V	<170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V
Серия MOSFET	Серия	QFET™
Заряд затвора	Q_G	53 нCVgs = 10V	53 нCVgs = 10V	53 нCVgs = 10V	35 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate