На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQN1N60CBU | FQN1N60CTA | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 170 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11.5 ОмId, Vgs = 150mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 6.2 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |