На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQI19N20CTU | FQI19N20TU | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <3.13 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 1.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <19 А | <19.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 53 нCVgs = 10V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |