На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQE10N20CTU | FQE10N20LCTU | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-126-3 (Straight Leads) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <12.8 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 490 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <360 мОмId, Vgs = 2A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |