На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD7P06TF | FQD7P06TM | FQD7P06TM_F080 | FQD7P06TM_NB82050 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 295 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.4 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <451 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 8.2 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||