FQD7N20LTF

FQD7N20, FQD7N20LTF, FQD7N20LTM, FQD7N20TF, FQD7N20TM, FQD7N20TM_F080

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQD7N20LTFFQD7N20LTMFQD7N20TFFQD7N20TMFQD7N20TM_F080
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
500 пФVds = 25V500 пФVds = 25V400 пФVds = 25V400 пФVds = 25V400 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5.5 А<5.5 А<5.3 А<5.3 А<5.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<750 мОмId, Vgs = 2.75A, 10V<750 мОмId, Vgs = 2.75A, 10V<690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V<690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V<690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
9 нCVgs = 5V9 нCVgs = 5V10 нCVgs = 10V10 нCVgs = 10V10 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateStandardStandardStandard