На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD7N10LTF | FQD7N10LTM | FQD7N10TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.8 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 6 нCVgs = 5V | 6 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |