FQD5N40TM

FQD5N40, FQD5N40TF, FQD5N40TM

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQD5N40TFFQD5N40TM
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
460 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<400 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3.4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.6 ОмId, Vgs = 1.7A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
13 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard