На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD4P25TF | FQD4P25TM | FQD4P25TM_WS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 420 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <250 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.1 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.1 ОмId, Vgs = 1.55A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 14 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||