На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD4N20LTF | FQD4N20LTM | FQD4N20TF | FQD4N20TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | (не задано) | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.2 А | <3.2 А | <3 А | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.35 ОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <1.35 ОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 5.2 нCVgs = 5V | 5.2 нCVgs = 5V | 6.5 нCVgs = 10V | 6.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |