На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD2N60CTF | FQD2N60CTF_F080 | FQD2N60CTM | FQD2N60TF | FQD2N60TM | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 235 пФVds = 25V | 235 пФVds = 25V | 235 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <1.9 А | <1.9 А | <1.9 А | <2 А | <2 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.7 ОмId, Vgs = 950mA, 10V | <4.7 ОмId, Vgs = 950mA, 10V | <4.7 ОмId, Vgs = 950mA, 10V | <4.7 ОмId, Vgs = 1A, 10V | <4.7 ОмId, Vgs = 1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||||
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 10V | 12 нCVgs = 10V | 12 нCVgs = 10V | 11 нCVgs = 10V | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||