На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD19N10LTF | FQD19N10LTM | FQD19N10TF | FQD19N10TM | FQD19N10TM_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 870 пФVds = 25V | 870 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <15.6 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||||
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |