На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD13N06LTF | FQD13N06LTM | FQD13N06TF | FQD13N06TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | <11 А | <10 А | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 6.4 нCVgs = 5V | 6.4 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |