На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD12N20LTF | FQD12N20LTM | FQD12N20LTM_F085 | FQD12N20TF | FQD12N20TM | FQD12N20TM_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 910 пФVds = 25V | 910 пФVds = 25V | 910 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <9 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <280 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |||||
Заряд затвора | QG | 21 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 23 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |