На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQD10N20CTF | FQD10N20CTM | FQD10N20CTM_F080 | FQD10N20LTF | FQD10N20LTM | FQD10N20TF | FQD10N20TM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <50 Вт | <50 Вт | <50 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 830 пФVds = 25V | 830 пФVds = 25V | 670 пФVds = 25V | 670 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <7.8 А | <7.8 А | <7.8 А | <7.6 А | <7.6 А | <7.6 А | <7.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||||||
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V | 26 нCVgs = 10V | 26 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 5V | 17 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |