На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB9N50CFTM | FQB9N50CFTM_WS | FQB9N50CTM | FQB9N50TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <173 Вт | <173 Вт | <135 Вт | <3.13 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.03 нФVds = 25V | 1.03 нФVds = 25V | 1.03 нФVds = 25V | 1.45 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <9 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <850 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <850 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <730 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | FRFET™ | QFET™ | QFET™ |
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||