На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB9N25CTM | FQB9N25TM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <3.13 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 710 пФVds = 25V | 700 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <250 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8.8 А | <9.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <430 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V | <420 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |