На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB8N60CFTM | FQB8N60CTM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <147 Вт | <3.13 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.255 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <6.26 А | <7.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 3.13A, 10V | <1.2 ОмId, Vgs = 3.75A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | FRFET™ | QFET™ |
Заряд затвора | QG | 36 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |