На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB5N50CFTM | FQB5N50CTM | FQB5N50TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <96 Вт | <73 Вт | <3.13 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 625 пФVds = 25V | 625 пФVds = 25V | 610 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <5 А | <5 А | <4.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.55 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <1.8 ОмId, Vgs = 2.25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | FRFET™ | QFET™ | QFET™ |
Заряд затвора | QG | 24 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||