На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB4N50TM | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <3.13 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 460 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.7 ОмId, Vgs = 1.7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ |
Заряд затвора | QG | 13 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |