На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB4N20LTM | FQB4N20TM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <3.13 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 310 пФVds = 25V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.8 А | <3.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.35 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.8A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 5.2 нCVgs = 5V | 6.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |