На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB19N20CTM | FQB19N20LTM | FQB19N20TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <3.13 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 2.2 нФVds = 25V | 1.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <19 А | <21 А | <19.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 53 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||