На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB19N10LTM | FQB19N10TM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <3.75 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 870 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <19 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |