На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQB10N20CTM | FQB10N20LTM | FQB10N20TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <72 Вт | <3.13 Вт | <3.13 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 830 пФVds = 25V | 670 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <9.5 А | <10 А | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <360 мОмId, Vgs = 4.75A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||