FQAF11N90

FQAF11N90, FQAF11N90C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQAF11N90C
Корпус микросхемы
Корпус
TO-3PF-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<120 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.29 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<900 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.1 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
80 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard