FQA7N90

FQA7N90, FQA7N90_F109, FQA7N90M, FQA7N90M_F109

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQA7N90_F109FQA7N90MFQA7N90M_F109
Корпус микросхемы
Корпус
TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P-3 (Straight Leads)TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<220 Вт<210 Вт<210 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.28 нФVds = 25V1.88 нФVds = 25V1.88 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<900 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.4 А<7 А<7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.55 ОмId, Vgs = 3.7A, 10V<1.8 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V<1.8 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
59 нCVgs = 10V52 нCVgs = 10V52 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard