На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQA6N90C_F109 | FQA6N90_F109 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PN-3 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <198 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.77 нФVds = 25V | 1.88 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <900 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <6 А | <6.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.3 ОмId, Vgs = 3A, 10V | <1.9 ОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | |
Заряд затвора | QG | 40 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |