FQA19N20

FQA19N20, FQA19N20C, FQA19N20L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFQA19N20CFQA19N20L
Корпус микросхемы
Корпус
TO-3PN-3TO-3P-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<180 Вт<190 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.08 нФVds = 25V2.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<21.8 А<25 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<170 мОмId, Vgs = 10.9A, 10V<140 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
QFET™
Заряд затвора
QG
53 нCVgs = 10V35 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
StandardLogic Level Gate