На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQA13N50C | FQA13N50CF | FQA13N50CF_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PN-3 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <218 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.055 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <13.5 А | <15 А | <15 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <480 мОмId, Vgs = 6.75A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | FRFET™ | FRFET™ |
Заряд затвора | QG | 56 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||