На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQA10N80C | FQA10N80C_F109 | FQA10N80_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PN-3 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <240 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.8 нФVds = 25V | 2.8 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | <10 А | <9.8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.1 ОмId, Vgs = 5A, 10V | <1.1 ОмId, Vgs = 5A, 10V | <1.05 ОмId, Vgs = 4.9A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 58 нCVgs = 10V | 58 нCVgs = 10V | 71 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||