На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FQA10N60C | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PN-3 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <192 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.04 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <730 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | QFET™ |
Заряд затвора | QG | 57 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |