На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDZ209N | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-BGA (12 pos) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 657 пФVds = 30V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 4A, 5V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® |
Заряд затвора | QG | 9 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |