На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDV302P | FDV302P_D87Z | FDV302P_NB8V001 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <350 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 11 пФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <120 мА | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V | ||
Заряд затвора | QG | 310 пCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||