FDU8778

FDU8778

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDU8778
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<39 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
845 пФVds = 13V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<35 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<14 мОмId, Vgs = 35A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate