FDT55AN06

FDT55AN06, FDT55AN06LA0

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDT55AN06LA0
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<8.9 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.13 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12.1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<46 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Заряд затвора
QG
10 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate