На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDS7064N | FDS7064SN3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <3 Вт | <1.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.355 нФVds = 15V | 2.8 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7.5 мОмId, Vgs = 16A, 4.5V | <8 мОмId, Vgs = 16A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 48 нCVgs = 4.5V | 35 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |