FDS6680A

FDS6680, FDS6680A, FDS6680AS, FDS6680S

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS6680AFDS6680ASFDS6680S
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.62 нФVds = 15V1.24 нФVds = 15V2.01 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12.5 А<11.5 А<11.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<9.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V<10 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V<11 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
23 нCVgs = 5V30 нCVgs = 10V24 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate