FDS6679AZ

FDS6679, FDS6679AZ, FDS6679Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS6679AZFDS6679Z
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.845 нФVds = 15V3.803 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<13 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<9.3 мОмId, Vgs = 13A, 10V<9 мОмId, Vgs = 13A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
96 нCVgs = 10V94 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate