На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDS6675A | FDS6675BZ | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Optoelectronics Grou |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.33 нФVds = 15V | 2.47 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 11A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 34 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |