FDS6673BZ

FDS6673, FDS6673AZ, FDS6673BZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS6673AZFDS6673BZ
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.48 нФVds = 15V4.7 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<14.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7.2 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V<7.8 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
118 нCVgs = 10V124 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate