На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDS2170N3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.8 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.292 нФVds = 100V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <128 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® |
Заряд затвора | QG | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |