FDPF12N50T

FDPF12N50, FDPF12N50FT, FDPF12N50T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDPF12N50FTFDPF12N50T
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<42 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.395 нФVds = 25V1.315 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<11.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<700 мОмId, Vgs = 6A,10V<650 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UniFET™
Заряд затвора
QG
30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard