На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDN5618P | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-SSOT, SuperSOT-3 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <460 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 430 пФVds = 30V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.25 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 1.25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® |
Заряд затвора | QG | 13.8 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |